因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項(xiàng)目

等離子刻蝕機(jī)核心檢測項(xiàng)目包含六大維度：1. 等離子體參數(shù)（電子密度、離子能量分布函數(shù)）；2. 刻蝕速率線性度（不同材料去除速率的線性關(guān)系）；3. 選擇比穩(wěn)定性（掩膜層與目標(biāo)層的刻蝕速率比）；4. 均勻性指標(biāo)（晶圓表面刻蝕深度3σ值）；5. 殘留物分析（反應(yīng)副產(chǎn)物沉積量）；6. 微觀形貌特征（側(cè)壁角度粗糙度Ra值）。其中等離子體參數(shù)需同步監(jiān)測射頻功率匹配度與氣體離解率偏差。

檢測范圍

檢測覆蓋主流等離子刻蝕設(shè)備類型：1. 電容耦合等離子體（CCP）系統(tǒng)；2. 電感耦合等離子體（ICP）系統(tǒng)；3. 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）裝置。適用工藝節(jié)點(diǎn)包括28nm至3nm制程的FinFET刻蝕、高深寬比接觸孔刻蝕及三維NAND存儲結(jié)構(gòu)加工。特殊場景檢測含磁性材料刻蝕的離子損傷評估及低k介質(zhì)刻蝕的介電常數(shù)變化監(jiān)測。

檢測方法

標(biāo)準(zhǔn)化檢測流程包含三個階段：1. 基礎(chǔ)性能測試采用Langmuir探針測量等離子體參數(shù)，臺階儀進(jìn)行刻蝕深度標(biāo)定；2. 工藝穩(wěn)定性驗(yàn)證通過連續(xù)24小時動態(tài)監(jiān)測系統(tǒng)壓力波動（±0.5mTorr）和氣體流量漂移（≤1%）；3. 微觀結(jié)構(gòu)分析使用場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）測量特征尺寸CD值偏差（±1.5nm），原子力顯微鏡（AFM）量化表面粗糙度變化。

特殊材料檢測需結(jié)合X射線光電子能譜（XPS）分析表面化學(xué)態(tài)變化，二次離子質(zhì)譜（SIMS）測定摻雜元素剖面分布。在線監(jiān)測采用光學(xué)發(fā)射光譜（OES）實(shí)時追蹤活性粒子濃度波動。

檢測儀器

核心檢測設(shè)備配置包含：1. 四極質(zhì)譜儀（QMS）用于反應(yīng)腔室氣體成分定量分析；2. 橢偏儀測量薄膜厚度變化分辨率達(dá)0.1?；3. 高精度射頻功率計（頻率范圍1-60MHz）；4. 晶圓級熱成像系統(tǒng)監(jiān)測基片溫度梯度（±0.5℃）。輔助設(shè)備配置含真空計組（量程10^-6-10³Torr）、質(zhì)量流量控制器校準(zhǔn)裝置（精度±0.2%F.S.）。

微觀分析設(shè)備組合包括：1. 透射電子顯微鏡（TEM）觀測原子級界面缺陷；2. 白光干涉儀測量三維形貌特征；3. 輝光放電質(zhì)譜儀（GD-MS）分析金屬污染濃度（ppt級）。在線診斷系統(tǒng)集成殘余氣體分析儀（RGA）和電壓電流探頭組。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件